Intel ha confirmado, durante la Solid-State Circuits Conference, que abandonará el silicio debido a que dicho material tocará su límite con el proceso de 10nm. Esto quiere decir que para lograr alcanzar un proceso de fabricación de 7nm Intel cambiará de material ya que, en caso contrario no podrá continuar con la estrategia de reducción de tamaño. Intel aún no ha dado detalles sobre cual será el material sustituto.
Sin embargo el Arseniuro de indio y galio es uno de los posibles candidatos que podría utilizar Intel en su salto a los 7nm ya que posee una alta velocidad de operación. Con el salto a los 14nm Intel tuvo problemas de fabricación que retrasaron el lanzamiento de Broadwell por lo que estos problemas podrían reproducirse en el paso a los 7 nm. La litografía EUV también recibió algo de atención durante la conferencia, aunque parece Intel se concentrará en los procesos de 10nm y de 7nm prescindiendo de ella por problemas de despliegue.
Según Intel los primeros chips fabricados en proceso de 10nm deberían llegar al público antes del año 2017, y la transición del silicio al nuevo material debería ocurrir antes del año 2020.
